Электромиграция в твердотельных интегральных структурах со сквозными отверстиями
https://doi.org/10.1234/2221-7789-2025-3-26-30
EDN: NCUQOV
Аннотация
В статье исследуется устойчивость к электромиграции структур со сквозными отверстиями, не заполненными вольфрамом, и влияния на процесс электромиграции заполнения отверстий вольфрамом. Показано, что с уменьшением диаметра отверстия в структурах отверстиями, незаполненными вольфрамом, величина среднего времени отказа снижается вследствие плохого покрытия алюминием и возрастания отношения ширины отверстия к его длине, а в случае заполнения отверстий вольфрамом величина среднего времени отказа от диаметра не зависит. Установлено, что при электромиграции сопротивления сквозного отверстия изменяется из-за действия тока высокой плотности, который вызывает миграцию кремния через алюминий с последующим его осаждением по границе раздела вольфрам-алюминий.
Об авторах
Наталья Васильевна Черкесова
Кабардино-Балкарского государственного университета им. Х.М. Бербекова.
Россия
Россия
Кандидат физико-математических наук, доцент, доцент кафедры электроники и цифровых информационных технологий института электроники, робототехники и искусственного интеллекта.
Гасан Абакарович Мустафаев
Кабардино-Балкарского государственного университета им. Х. М. Бербекова.
Россия
Россия
Доктор технических наук, профессор кафедры электроники и цифровых информационных технологий института электроники, робототехники и искусственного интеллекта
Арслан Гасанович Мустафаев
ГАОУ ВО "Дагестанский государственный университет народного хозяйства".
Россия
Россия
Доктор технических наук профессор.
Денис Михайлович Здравомыслов
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.
Россия
Россия
Аспирант 2-го года обучения кафедры электронной компонентной базы микро-, наноэлектроники и квантовых устройств.
Список литературы
1. Смолин В.К. Особенности применения алюминиевой металлизации в интегральных схемах // Микроэлектроника. 2004. Т. 33, № 1. С. 10–16.
2. Pietranico S., Lefebvre S., Pommier S., Berkani Bouaroudj M., Bontemps S. A study of the effect of degradation of the aluminium metallization layer in the case of power semiconductor devices // Microelectronics Reliability. 2011. V. 51, N 9-11. P. 1824–1829.
3. Mustafaev G.A., Khasanov A.I., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. Technology for the formation of refractory metals for micro- and nanoelectronics products // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2020. V. 905. P. 12048.
4. Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В. Силициды тугоплавких металлов для изделий микро- и наноэлектроники: учебное пособие. Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2021. 95 с.
5. Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г. Отказы в межсоединениях интегральных схем, вызванные электромиграцией // Электроника и электротехника. 2017. № 4. С. 1–5.
6. Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Панченко В.А., Мустафаев А.Г. Надежность интегральных микросхем с алюминиевой металлизацией // Электроника и электротехника. 2017. № 3. С. 1–6.
7. Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Технология формирования контактов из тугоплавких металлов к легированным полупроводниковым слоям // Нано- и микросистемная техника. 2024. Т. 26, № 4. С. 184–187.
8. Wilson T., Korolev K., Crow N. Bilayer lift-off process for aluminum metallization // Journal of Micro/Nanolithography. 2015. V. 14. N 1. Р. 014501-1.
9. Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Черкесова Н.В., Хасанов А.И. Применение силицида вольфрама как токопроводящего материала для металлизации // Известия Чеченского госуниверситета. 2017. № 4. С. 36–40.
10. Патент РФ № 2757177. Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама / Г.А. Мустафаев, А.Г. Мустафаев, Н.В. Черкесова, А.Г. Мустафаев, А.И. Хасанов. Опубликовано: 11.10.2021 г. Бюлл. № 29.
11.
Рецензия
Для цитирования:
Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Здравомыслов Д.М. Электромиграция в твердотельных интегральных структурах со сквозными отверстиями. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2025;15(3):26-30. https://doi.org/10.1234/2221-7789-2025-3-26-30. EDN: NCUQOV
For citation:
Cherkesova N.V., Mustafaev H.A., Mustafayev A.H., Zdravomyslov D.M. Electromigration in solid-state integrated structures with through holes. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2025;15(3):26-30. (In Russ.) https://doi.org/10.1234/2221-7789-2025-3-26-30. EDN: NCUQOV
Просмотров:
3
Послать статью по эл. почте 