Арсенид-силикатные стекла, сформированные окислением sih4 и ash3, для диффузии мышьяка в si и sio2
https://doi.org/10.1234/2221-7789-2025-1-16-20
EDN: JDWJKZ
Аннотация
В работе исследованы арсенид-силикатные стекла, сформированные окислением SiH4 и AsH3. Показано, что скорость осаждения резко уменьшается при концентрации AsH3 в смеси реагентов более 10 мол.%. Исследована диффузия мышьяка через барьерный окисел и без барьерного окисла с применением кислорода О2 и аргона Ar в качестве диффузионной среды. Показано, что приме- нение кислорода О2 вместо аргона Ar в качестве диффузионной среды меняет природу дефектов, при- водит к увеличению глубин переходов и поверхностной концентрации мышьяка Аs в диффузионных слоях. Обнаружена связь между концентрацией As2O3 в стеклах и тенденцией к образованию дефектов в стекле при термообработке.
Об авторах
Гасан Абакарович Мустафаев
Дагестанский государственный университет народного хозяйства.
Россия
Россия
Доктор технических наук, профессор кафедры электроники и цифровых информационных технологий института электроники, робототехники и искусственного интеллекта.
Арслан Гасанович Мустафаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.
Россия
Россия
Доктор технических наук, профессор кафедры информационных технологий и информационной безопасности.
Денис Михайлович Здравомыслов
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.
Россия
Россия
Аспирант 2 года обучения по специальности: Электронная компонентная база микро- и электроники, квантовых устройств.
Список литературы
1. Зи С. Технология СБИС. М.: Мир, 1986. 454 с.
2. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1986. 315 с.
3. Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация: пер с нем. / под ред. М.И. Гусева. М.: Наука, 1983. 342 с.
4. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники: учеб. пособие для вузов. М.: Лаборато- рия знаний, 2020. 243 с.
5. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебник. М.: Юрайт, 2019. 463 с.
6. Орлов А.М., Костишко Б.М., Скворцов А.А. Физические основы технологии полупроводнико- вых приборов и интегральных микросхем: учеб. пособие. Ульяновск: УлГУ, 2014. 423 с.
7. Таганцев Д.К. Стеклообразные материалы: учебное пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2010. 204 с.
8. Кручинин Д.Ю., Фарафонтова Е.П. Физическая химия стеклообразного состояния: учебное по- собие. М-во науки и высшего образования РФ. Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2021. 108 с.
9. Немилов С.В. Оптическое материаловедение: Физическая химия стекла. Учебное пособие, курс лекций. СПб: СПбГУ ИТМО, 2009. 113 с.
10. Сугано Т., Икомо Т., Такзиси Е. Введение в микроэлектронику М.: Мир, 1989. 315 с.
Рецензия
Для цитирования:
Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Здравомыслов Д.М. Арсенид-силикатные стекла, сформированные окислением sih4 и ash3, для диффузии мышьяка в si и sio2. Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2025;15(1):16-20. https://doi.org/10.1234/2221-7789-2025-1-16-20. EDN: JDWJKZ
For citation:
Mustafayev H.A., Mustafayev A.H., Zdravomyslov D.M. Arsenide-silicate glasses formed by oxidation of sih4 and ash3 to diffuse arsenic into si and sio2. Proceedings of the Kabardino-Balkarian State University. 2025;15(1):16-20. (In Russ.) https://doi.org/10.1234/2221-7789-2025-1-16-20. EDN: JDWJKZ
Просмотров:
2
Послать статью по эл. почте 